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一種新型可調(diào)驅(qū)動(dòng)電壓的SiC/Si混合開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路

中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 13 2023-10-20
摘要： 為提高碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)與硅基絕緣柵極雙極晶體管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并聯(lián)混合開關(guān)(SiC/Si hybrid switch,S... （共13頁(yè)）

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